宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

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【摘要】

：

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在

【作者】

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王书荣王圩刘志宏朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆田

【机构】

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中国科学院半导体研究所光电子研发中心,中国科学院半导体研究所光电子研发中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

压应变InGaAs量子阱张应变InGaAs准体材料半导体光放大器偏振灵敏度增益饱和输出功率 compressively strained InGaAs

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(编号:G20000683 1),国家自然科学基金(批准号:90101023)资助项目~~

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采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1．55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15．6dB的光纤到光纤的增益、小于0．7dB的偏振灵敏度和4．2dBm的饱和输出功率．

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