【摘 要】
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从硅设计的角度来说,只要将芯片与下一代制程工艺节点相连,就能降低功耗。随着混合信号集成电路从120nm转变为90nm,功耗的降低量也不再会因为工艺和几何结构的进步而相应增加
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从硅设计的角度来说,只要将芯片与下一代制程工艺节点相连,就能降低功耗。随着混合信号集成电路从120nm转变为90nm,功耗的降低量也不再会因为工艺和几何结构的进步而相应增加。为了选出效率最高的芯片,系统开发者们必须预见到制程的改进,并依赖于自己半导体供应商的知识产权(intellectualproperty,简称IP)组合方式与设计创新。
From a silicon design standpoint, power consumption can be reduced by simply connecting the chip to the next generation process technology node. As mixed-signal ICs shift from 120nm to 90nm, the amount of power reduction will no longer increase due to process and geometry improvements. In order to select the most efficient chip, system developers must anticipate process improvements and rely on their own intellectual property (IP) portfolio and design innovations from their semiconductor suppliers.
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