【摘 要】
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利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱、超晶格和ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料，利用７７Ｋ光荧光（ＰＬ）测量这一应变量子阱和量子阱的光学性质，利用双晶Ｘ光测量应变超晶格
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利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱、超晶格和ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料，利用７７Ｋ光荧光（ＰＬ）测量这一应变量子阱和量子阱的光学性质，利用双晶Ｘ光测量应变超晶格的性质。
InGaAsP / InP quantum well, superlattice and InGaAsP / InP quantum well structure materials were grown on InP substrate by low pressure metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) The properties of a strained quantum well and a quantum well are measured using twinned X-ray light to characterize the strained superlattice.
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