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为了提高太阳电池的转换效果,降低反射光栅的偏振敏感性,开发了一种新的抗反射结构的微细加工技术。首先用X光光刻在PMMA光刻胶上得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长纳米结构,即抗反射结构。设计了适用于可见光波段的二维亚波长抗反射光栅,用X光光刻制作工艺在硅衬底上进行了实验制备。用此纳米加工技术获得了线宽为150 nm、高度约为450 nm(即深宽比为3.0)的PMMA减反射结构。同时还优化了曝光近接间隔、曝光剂量、显影时间等X光光刻参数。