【摘 要】
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研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结果进一步分析，总结出有关结论并提出一些改进
【机 构】
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辽宁师范大学物理系,中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,哈尔滨工业大学应用物理系
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研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结果进一步分析，总结出有关结论并提出一些改进方法。
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