氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chlo16105

【摘要】

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通过对氮化镓(Gallium nitride，GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode，HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy，MOVPE)生

【作者】

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罗毅邵嘉平郭文平韩彦军胡卉薛松孙长征郝智彪

【机构】

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清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室

【出处】

：

中国有色金属学报

【发表日期】

：

2004年F01期

【关键词】

：

氮化镓发光二极管外延生长干法刻蚀 HB-LED MOVPE GaN LED material epitacxy dry etching fabri

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通过对氮化镓(Gallium nitride，GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode，HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy，MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN／GaN多量子阱(Multiple quantum wells，MQWs)结构，获得了高性能的HB-LED外延片材料。高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray

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