【摘 要】
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基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100sccm、200sccm、300sccm和400sccm四个梯度,研究非晶SiNx到含有Si3N4晶
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室
【出 处】
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内蒙古师范大学学报:自然科学汉文版
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51262022,21663018).
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基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100sccm、200sccm、300sccm和400sccm四个梯度,研究非晶SiNx到含有Si3N4晶粒的富硅SiNx薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变换谱、紫外-可见光谱和X射线衍射谱对薄膜样品结构进行表征.结果表明,随着N2流量的增加,SiNx薄膜中氮原子浓度减小,Si-N键密度减小,Si-H键密度增加,薄膜中出现Si-Si键并且密度逐渐增加,非晶SiNx逐渐向富硅SiNx薄膜转变.同时薄膜光学
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