【摘 要】
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利用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试.推导出了沉积位置与
【机 构】
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西北工业大学碳/碳复合材料工程技术研究中心
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利用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试.推导出了沉积位置与反应气源过饱和度的定性关系,分析了反应气源过饱和度对SiC涂层形貌、晶粒尺寸以及涂层厚度的影响.研究结果表明:沿着沉积炉内气体流动的方向,反应气源的过饱和度逐渐降低,沉积所得β-SiC涂层形貌由颗粒状向须状转变,晶粒尺寸与涂层厚度逐渐减小.
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