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在建立玻璃中阻容耦合双量子点模型的基础上，通过分析双量子点的静电能和化学势，讨论了化学势随外加偏压的变化和共振隧穿现象．随外加偏压的增大，当双量子点2个能级的化学势相等时发生共振隧穿现象，在Ⅰ-Ⅴ特性曲线上呈现电流峰．玻璃中不同间距的量子点用不同大小的耦合电容来表示．随着玻璃中2个量子点之间耦合电容的增大，2个量子点发生共振隧穿所需要的外加偏压随之增大．