【摘 要】
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本文合成了配合物[Cu(pcba)2·(phen)(H2O)](pcba=对氯苯甲酸,phen=1,10-邻菲罗啉),该配合物属于三斜晶系,P1空间群,晶胞参数为a=0.79098(2)nm,b=1.07240(4)nm,c=1.48719(6)nm,α=100.613(3)°,β=95.239(3)°,γ=108.334(3)°,Z=2,Dc=1.638 g·cm-3,F(000)=582,最终结构残差因子R1=0.0359,wR2=0.0891.采用紫外及荧光研究了配合物和人血清蛋白(HSA)的相互作
【机 构】
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广西民族师范学院化学与生物工程学院,崇左 532200
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本文合成了配合物[Cu(pcba)2·(phen)(H2O)](pcba=对氯苯甲酸,phen=1,10-邻菲罗啉),该配合物属于三斜晶系,P1空间群,晶胞参数为a=0.79098(2)nm,b=1.07240(4)nm,c=1.48719(6)nm,α=100.613(3)°,β=95.239(3)°,γ=108.334(3)°,Z=2,Dc=1.638 g·cm-3,F(000)=582,最终结构残差因子R1=0.0359,wR2=0.0891.采用紫外及荧光研究了配合物和人血清蛋白(HSA)的相互作用方式.结果表明,配合物静态猝灭HSA荧光,可求得配合物与HSA的猝灭常数Ksv=2.35×105 L·mol-1,猝灭速率常数Kq=2.35×1013 L·mol-1·s-1,结合常数为Ka=2.14×1013 L·mol-1,结合位点n=2.37.同时,研究了配合物对胃癌细胞A549、宫颈癌细胞Hela和肝癌细胞HepG2的抗增殖能力.
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有机半导体单晶由于具有内部长程有序的分子排列结构、缺陷及晶界少等优点,表现出优异的光电性能,是实现有机半导体器件实用化的一种重要材料.目前,研究者们已经发展出多种可应用于有机单晶的生长方法,其中,微距升华法是一种可以在大气环境下采用蒸镀的方式制备有机微/纳单晶的方法.然而,当将这种方法应用于C8-BTBT时发现,由于分子的熔点较低,蒸镀得到的是分子直接从液态凝固为无定形/多晶的结构.在本工作中,通过使用溶剂蒸汽退火的方式对其进行后处理,成功地将这种无定形/多晶结构转化为分立的单晶.为了表征所得到的晶体形貌
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波法,计算未掺杂与P替换Si、C以及P间隙掺杂6H-SiC的电子结构与光学性质.结果显示未掺杂的6H-SiC是带隙为2.052 eV的间接带隙半导体,P替换Si、C掺杂以及P间隙掺杂6H-SiC带隙均减小,分别为1.787 eV、1.446 eV和0.075 eV,其中P间隙掺杂带隙减小幅度最大.P替换掺杂6H-SiC使得费米能级向导带移动并插入导带中,呈n型半导体.P间隙掺杂价带中的一条能级跨入费米能级,因此在禁带中出现一条P 3p杂质能级,P间隙掺杂6H-SiC
基于密度泛函理论方法系统研究了四方结构MnGa合金体的结构、形成、电子结构和磁性质.结果表明,四方MnGa合金晶胞的生成焓为-4.85 eV,高于一些不含d电子的体系.其呈现导体的能带结构,其中d电子主要形成深能级价带,定域性最强.四方MnGa合金存在着明显的自旋极化,靠近费米能级两侧的s电子和靠近费米能级下方的p电子具有较弱的自旋极化.形成浅能级价带和导带的d电子产生高强度的自旋极化,对磁性质贡献较大.Mn的s电子和Mn的p电子自旋极化作用较弱,Mn的d电子形成浅能级价带和导带,自旋极化作用最强.形成深
采用射频(RF)等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品,在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂纳米硅.通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了磷/硼共掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的微观结构和杂质的分布特点.低温电子顺磁共振(EPR)结果表明,磷、硼杂质可以改变纳米硅的表面化学结构并充分钝化表面处的非辐射复合缺陷.Hall效应测试发现磷和硼杂质可替位式地掺入到纳米硅的内部,且磷杂质具有更高的掺杂效率;通过改变磷硼杂质的掺杂比例可以调控纳米
作为一种优良的半导体材料,GaN所具有的宽禁带导致其只能吸收可见光中的紫光,因此如何增加GaN材料对可见光的利用率是一个值得研究的问题,掺杂是解决这个问题常用的手段.本文利用第一性原理的方法对本征GaN,C单掺、Ti单掺、C-Ti共掺GaN四种体系的电子结构和光学性质做了计算和分析,结果表明:掺杂后的体系都具有良好的稳定性;掺杂后各体系的体积均增大,说明杂质的引入使体系晶格发生畸变,对光生空穴-电子对的分离有促进作用,进而提高材料的光催化性能;杂质元素的引入使体系能级发生劈裂,电子跃迁更加容易;掺杂后各体
本文利用第一性原理方法计算并分析了体积应变(-11％ ～11％)对立方顺电相PbTiO3的结构、稳定性、电子结构和光学性质的影响.研究发现体积应变后PbTiO3形成焓增大,稳定性下降,其中压应变对其稳定性的影响比拉应变大.当受到拉伸应变时,立方PbTiO3由直接带隙半导体变为间接带隙半导体,且带隙随应变增大呈先增大后降低的趋势.在发生压应变时,从复介电函数、复折射率及吸收系数的分析结果可知,在自然光照下PbTiO3的光吸收能力仅在个别波段有所增大,但总体呈减弱趋势,当产生拉伸应变时,介电峰、吸收峰红移,表
利用第一性原理对Li原子掺杂C28的分子器件的热自旋输运性质进行了计算.在不同的温度场下,上下自旋分别为Li原子掺杂C28的分子器件中的空穴和电子提供了输运通道,在MJ1和MJ3分子器件中,热自旋电流随着温度增加而增大,但在MJ2分子器件中,热自旋电流先增大再减小.三种分子器件都出现了自旋塞贝克效应,MJ2还出现了负微分电阻现象,利用费米-狄拉克分布和自旋输运谱对其物理机理进行了解释.根据Li掺杂C28的单分子器件的热自旋输运性质,可设计新的自旋纳米器件.
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Mg单掺杂、N单掺杂和不同浓度的Mg-N共掺杂β-Ga2 O3的结构性质、电子性质和光学性质,以期获得性能比较优异的p型β-Ga2 O3材料.建立了五种模型:Mg单掺杂、N单掺杂、1个Mg-N共掺杂、2个Mg-N共掺杂和3个Mg-N共掺杂β-Ga2 O3.经过计算,3个Mg-N共掺杂β-Ga2 O3体系的结构最稳定.此外,在5种模型中,3个Mg-N共掺杂β-Ga2 O3体系的禁带宽度是最小的,并且N 2p和Mg 3s贡献的占据态抑制了氧空位的形成,从而增加了空穴
晶体硅表面钝化是高效率晶体硅太阳能电池的核心技术,直接影响晶体硅器件的性能.本文采用第一性原理方法研究了一种超强酸-双三氟甲基磺酰亚胺(TFSI)钝化晶体硅(001)表面.研究发现,TFSI的四氧原子结构能够与Si(001)表面Si原子有效成键,吸附能达到-5.124 eV.电子局域函数研究表明,TFSI的O原子与晶体硅表面的Si的成键类型为金属键.由态密度和电荷差分密度分析可知,Si表面原子的电子向TFSI转移,从而有效降低了Si表面的电子复合中心,有利于提高晶体硅的少子寿命.Bader电荷显示,伴随着
PEDOT:PSS(聚3,4-亚乙基二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸盐)薄膜因其良好的导电性、透光性、机械柔韧性以及溶液可加工性而被广泛应用.提高PEDOT材料的电导率以及光电稳定性对其器件应用有重要意义.在本文中,首先用旋涂法制备PEDOT:PSS薄膜,然后采用硫酸后处理技术提高其电导率,并将硫酸处理后的薄膜分别放置于空气、氧气、氮气中以及太阳光照下30 d,研究薄膜的光电稳定性及老化机制.实验结果表明:太阳光照是影响薄膜光电性能稳定性的主要因素,而硫酸处理有效地去除了过量的PSS成分,使薄膜的稳定性变好.通过比