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采用电子束蒸发在硅衬底上制备TiO2薄膜,并在氧气氛下进行退火处理。分别使用X射线衍射仪和椭圆偏振仪分析退火前后以及不同退火温度下薄膜样品的结构、成分和折射率,研究氧气氛下进行退火对薄膜结构、成分和折射率的影响。结果表明:氧气氛下退火能够有效地改善薄膜缺氧的问题,提高TiO2薄膜的质量。
氧气氛退火对TiO<sub>2</sub>薄膜结构和成分的影响
【摘 要】
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采用电子束蒸发在硅衬底上制备TiO2薄膜,并在氧气氛下进行退火处理。分别使用X射线衍射仪和椭圆偏振仪分析退火前后以及不同退火温度下薄膜样品的结构、成分和折射率,研究氧
【机 构】
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四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室,中国科学院国际材料中心
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2009年S1期
【基金项目】
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国家自然科学基金委员会“重点学术期刊专项基金”(No.50131010),总装预研基金(JG2006047)资助
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