论文部分内容阅读
基于侧墙自对准和金属硅化物等VLSI先进工艺实现全自对准的多晶硅反刻及栅源金属连接，并用氮化锆（ZrN）代替二氧化硅做硬掩模，由于氮化锆（ZrN）膜更薄使膜应力更小，设计出用两张掩模版制作trench绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工艺流程，给出了初步的实验结果。该设计减少了IGBT制作的工艺步骤，降低了器件制作成本，同时缩小了元包尺寸，增加了trench结构的元包密度和单位芯片面积的沟道宽度。