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美国的制造纳米晶钼粉的一项专利方法，已用于工业化生产高比表面积粉末，可在较低烧结温度下，得到全致密零件。也可成本有效地制造Mo／Cu与Mo／Ag合金，用于制造电子元件，如散热片与电触头等。原理上，纳米晶钼粉的制造方法与传统钼粉的制造方法一样，但实际上有着显著的不同。该专利方法是将Mo(二)3蒸汽快速冷却，形成晶粒度50～100nm的三氧化钼颗粒。