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以1GBT模块的内部结构和材料特性为基础，研究了焊料层疲劳、铝键接线断裂或剥离、DCB基片失效等封装级故障产生机理；分析栅氧化层击穿、电过应力、辐射失效等器件级故障的产生机理；最后，分别给出了两大类故障的预报方法。
IGBT模块故障机理及其预报方法综述
【摘 要】
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以1GBT模块的内部结构和材料特性为基础，研究了焊料层疲劳、铝键接线断裂或剥离、DCB基片失效等封装级故障产生机理；分析栅氧化层击穿、电过应力、辐射失效等器件级故障的产生
【机 构】
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天津大学电气与自动化工程学院,天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室
【出 处】
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世界科技研究与发展
【发表日期】
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2010年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（50977063）,国家863项目（2008AA11A145）和天津市科技支撑计划重点项目（09ZCKFGX01800）
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