论文部分内容阅读
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶，研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错（OSF）的行为。从4组晶体的相同位置取样，并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明，随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环（OSF—ring）宽度变大，且环内OSF缺陷的密度增加。这说明，氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成，使OSF形核区变大。