NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：duan01

【摘要】

：

采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏

【作者】

：

李冬梅王志华皇甫丽英勾秋静雷有华李国林

【机构】

：

清华大学电子工程系,清华大学微电子学研究所

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

NMOS晶体管辐照效应总剂量 NMOS transistors radiation effect Total Dose Effects

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采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.

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