【摘 要】
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采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20~25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
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采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20~25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50~100nm的较大颗粒和20~30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400~800nm波段的透过率为50%~70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S2O32-与Cu2+的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜.
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