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3300 V沟槽栅IGBT的衬底材料的优化设计

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qxq00007

【作 者】

：

刘江  高明超  朱涛  冷国庆  王耀华  金锐  温家良 

【出 处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2017年11期

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