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硅片化学机械抛光后存放方法探讨

来源 :物理化学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong421

【摘 要】

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化学机械抛光后的硅片,都会在去离子水中浸泡一段时间才会做后面的最终清洗。但浸泡时间和浸泡条件会影响到最终的清洗效果。本文研究了不同浸泡条件下,硅片经过最终清洗后表

【作 者】

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史训达 刘云霞 林霖 杨少坤 蔡丽艳 赵而敬 刘卓 

【机 构】

：

有研半导体材料有限公司

【出 处】

：

物理化学进展

【发表日期】

：

2018年4期

【关键词】

：

表面活性剂 金属沾污 颗粒 CMP 

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化学机械抛光后的硅片,都会在去离子水中浸泡一段时间才会做后面的最终清洗。但浸泡时间和浸泡条件会影响到最终的清洗效果。本文研究了不同浸泡条件下,硅片经过最终清洗后表面颗粒的变化。

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