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用AFM对蓝色OLED的空穴传输层LiBq4／ITO和LiBq4/CuPc／ITO表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在ITO上成膜较差，在CuPc上成膜较好。说明加入CuPc能有效改善LiBq4的成膜质量。XPS对样品表面In3d和Sn3d的电子状态分析也证实ITO表面沉积LiBq4膜存在裂缝，加入CuPc可抑制裂缝出现。分析指出，CuPc由于Cu(Ⅱ)离子半满的dx^2-y^2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大兀键，使LiBq4的沉积状态改善。