【摘 要】
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半导体的物理特性对杂质是敏感的,杂质的存在会强烈的影响半导体的导电性质.本文主要由氧化石墨烯纳米带为例,结合热力学与统计物理和固体物理的相关知识,讨论杂质Si对其物理
【机 构】
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内蒙古民族大学数理学院 内蒙古通辽 028043
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半导体的物理特性对杂质是敏感的,杂质的存在会强烈的影响半导体的导电性质.本文主要由氧化石墨烯纳米带为例,结合热力学与统计物理和固体物理的相关知识,讨论杂质Si对其物理特性,如电子性质和光学性质的影响,为掺杂缺陷的课堂教学打下坚实的理论基础.通过理论计算得到了掺杂Si原子的氧化石墨烯纳米带,由半导体性质变成了导体性质.掺杂Si原子导致在费米能级附近的能带导通条数增加,带隙值变小,以及电子的共有化运动,导致了氧化石墨烯纳米导电性和发光性增强.并且介电函数的虚部吸收峰增多,电子之间相互作用显著,光学性质变化显著.
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