【摘 要】
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使用干氧热氧化的方法在晶体硅太阳电池表面生长SiO2钝化膜。结果表明：在780℃下生长的氧化薄膜钝化效果较好，实验检测少子寿命提高了8．3μs，以此为基础制备的太阳电池转换效率达
【机 构】
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上海交通大学物理系,上海交大泰阳绿色能源有限公司
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使用干氧热氧化的方法在晶体硅太阳电池表面生长SiO2钝化膜。结果表明：在780℃下生长的氧化薄膜钝化效果较好，实验检测少子寿命提高了8．3μs，以此为基础制备的太阳电池转换效率达到17．38％。实验还对氮气气氛下的氧化进行研究，发现当氮气流量为10L／min时，能强化薄膜的钝化效果，少子寿命可提高9．4μs。
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