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介绍了一种利用等时退火法预估CMOS器件辐照后长时间等温退火行为的加速实验方法.为了找到两种退火在时间上的相应关系,依据每一步等时退火相当于有相同电荷逃逸水平的等温退火时间.利用典型CC4007 CMOS器件的25~250℃等时退火数据预估了100和25℃等温退火的长时间行为,预估结果和实验结果符合得很好.