【摘 要】
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Nowadays,researches on developing new etching materials to optimize the Ag/Si contact interface in silicon solar cells (SSCs) are rare,which alleviates the furt
【机 构】
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School of Advanced Materials, Peking University,Shenzhen Graduate School, Shenzhen 518055, China
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Nowadays,researches on developing new etching materials to optimize the Ag/Si contact interface in silicon solar cells (SSCs) are rare,which alleviates the further development of SSCs.In this study,silver tellurite (Ag2TeO3,monoclinic,P2/a(14)) is synthesized and developed as an excellent etching material in SSCs.The Ag2TeO3 displays a low starting temperature of etching Si3N4 of～545 ℃,which is ～160 ℃ lower than that of PbO.Besides,by applying Ag2TeO3,conductive silver nanoparticles with a length of about 300～500 nm and a thickness of ～50 nm form in the Ag/Si contact interface,which effectively reduces the Ag-Si contact resistance,and leads to a high solar cell efficiency of ～18.4％.This study opens a new window for further enhancing the solar cell efficiency in the future.
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