一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

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【摘要】

：

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能.对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度只需要4.5 V/μm的电场;对于线状ZnO纳米结构,获得1.0

【作者】

：

丰平万青王太宏

【机构】

：

中国科学院物理研究所

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2005年7期

【关键词】

：

一维纳米结构电子场发射纳米线平板显示 1D nanostructureelectron field-emissionnanowireflat panel

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在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能.对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度只需要4.5 V/μm的电场;对于线状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度需要6.5 V/μm的电场.由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景.

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