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用AES(俄歇电子谱)及Kelvin探头对Gap(111)表面吸氧进行了研究。发现在GaP(111)表面上有两种状态的氧存在:ⅰ)在氧暴露量小于1000L时,表面上主要是吸附状态的氧,使功函数(WF)增加;ⅱ)当氧的暴露量大于1000L后,表面发生氧化,功函减小,且有磷氧化物的升华。
GaP（111）表面吸氧的AES及WF研究
【摘 要】
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用AES(俄歇电子谱)及Kelvin探头对Gap(111)表面吸氧进行了研究。发现在GaP(111)表面上有两种状态的氧存在:ⅰ)在氧暴露量小于1000L时,表面上主要是吸附状态的氧,使功函数(WF)
【机 构】
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浙江大学物理系,浙江大学物理系
【出 处】
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浙江大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1991年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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