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采用化学溶液沉积工艺在电阻率为６～９Ω·ｃｍ的ｎ－Ｓｉ（１００）衬底上生长Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２铁电多晶膜，研究了薄膜的电学性能，结果表明在６５０℃下退火１ｈ得到的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的介电和铁电性能，某介电常数ε＝１２９，剩余极化Ｐｒ＝５．１μＣ／ｃｍ＾２，矫顽电场Ｅｃ＝９６ｋＶ／ｃｍ。