【摘 要】
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为了降低PZT合成时PbO的挥发,以保证PZT化学计量比的准确性,并改善PZT压电陶瓷的生产环境,提出了一种降低PZT合成温度的方法。利用DSC-TGA测试混料后PZT原材料的理论预烧温度
【机 构】
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桂林电子科技大学材料科学与工程学院,佛山市南海科日超声电子有限公司,佛山市科日压电器件有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(612610012)
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为了降低PZT合成时PbO的挥发,以保证PZT化学计量比的准确性,并改善PZT压电陶瓷的生产环境,提出了一种降低PZT合成温度的方法。利用DSC-TGA测试混料后PZT原材料的理论预烧温度,对预烧后的粉末进行XRD衍射分析,并测试了烧结后的PZT压电陶瓷片的烧结密度及其电性能。测试结果表明：采用干压小圆块的方式,能够将预烧温度降至710℃;采用1250℃进行烧结,能够获得烧结密度较好、介电性能和压电性能较优异的陶瓷片。
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