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利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化。在质子注入剂量为2.5×10^15cm^-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm。