Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响

来源 :陕西师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:qichen1988
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采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu_3Ti_(4-x)Al_XO_(12-x/2)(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz~1 kHz频率范围内,tan δ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al~(3+)取代Ti~(4+)可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱.
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