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N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431 nm左右的蓝色荧光.随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰.研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面而形成的纳米硅镶嵌结构导致了蓝光发射.
注碳外延硅光致蓝光发射研究
【摘 要】
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N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431 nm左右的蓝色荧光.随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰
【机 构】
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山东师范大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2003年6期
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