ZnO薄膜对溅射参数的依赖关系以及制作在ZnO／InP上的SAW器件

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hfrr0828

【摘要】

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为了弥补InP基材料的压电性,促使单片声—光器件和系统的应用,采取在InP基片上沉积具有择优取向和微细结构的高质量ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜质量与RF溅射参数的关系.得到的最佳

【作者】

：

Lee CT 贺江涛

【机构】

：

台湾中山科学技术研究所

【出处】

：

压电与声光

【发表日期】

：

1990年3期

【关键词】

：

SAW器件 ZnO/InP ZNO薄膜溅射参数

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为了弥补InP基材料的压电性,促使单片声—光器件和系统的应用,采取在InP基片上沉积具有择优取向和微细结构的高质量ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜质量与RF溅射参数的关系.得到的最佳沉积条件是:基片温度250℃,溅射功率350W,氧含量20vol%.实验证实了在ZnO/InP结构上制得中心频率为105MHz的SAW器件.

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