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为了探求HT-7托卡马克装置中加低杂波后等离子体约束改善这一现象的原因，文章从电子的径向力平衡方程人手，通过数值模拟程序计算出欧姆阶段和低杂波阶段下的径向电场分布。结果发现，加低杂波后，在低杂波功率沉积的地方，径向电场在负方向变强，径向电场分布梯度变陡，加波前后径向电场的差值（△E）分布形成了凹槽结构，意味着加波后的径向电场剪切加强；通过与HTH7托卡马克中等离子体约束改善的实验现象比较，发现低杂波电流驱动阶段内部输运垒（ITB）产生的区域与径向电场分布的凹槽区域相一致，结果说明低杂波引起的径向电场的变化