YG8离子镀TiAlN膜层的残余应力及工艺参数研究

来源 :铸造技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lanshi2008
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采用多弧离子镀技术,在硬质合金刀具YG8基体上镀覆TiAlN膜层,研究最佳工艺参数、TiAlN膜层的残余应力,以及残余应力受沉积温度等因素的影响规律。结果表明,固定靶材电流为60 A,沉积时间为50 min时,最佳膜层性能的工艺参数为沉积温度100℃,氮气分压0.8 Pa,负偏压250 V。 Multi-arc ion plating technology was used to coat the TiAlN coating on the YG8 substrate. The optimum parameters, the residual stress of the TiAlN coating and the influence of the deposition temperature on the residual stress were studied. The results show that the optimum process parameters of the film are deposition temperature of 100 ℃, nitrogen partial pressure of 0.8 Pa and negative bias voltage of 250 V at a fixed target current of 60 A and a deposition time of 50 min.
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