【摘 要】
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对65nm SDRAM存储器进行重离子试验,分析其出现“固定位”错误的地址分布规律性,并研究错误数量与辐射能量以及注量之间的关系。对辐照后样品采用不同温度和时长退火,分析不
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对65nm SDRAM存储器进行重离子试验,分析其出现“固定位”错误的地址分布规律性,并研究错误数量与辐射能量以及注量之间的关系。对辐照后样品采用不同温度和时长退火,分析不同参数设定对“固定位”错误恢复的影响。根据试验现象,围绕微剂量效应,分析“固定位”错误的产生机理。提出一种方法,通过三维堆叠的方式在SDRAM存储芯片下叠封一个加热芯片,利用加热退火使“固定位”错误消失,可有效解决SDRAM存储器在宇航环境下出现“固定位”错误却无法维修器件的问题。
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