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利用金属有机源化学气相沉积（MOCVD）生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire（Al2O3）和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。