【摘 要】
：
设计了一种1550 nm波长分布反馈(DFB)激光器芯片,分析了有源区材料和波导结构对芯片参数的影响.分析了影响输出功率和相对强度噪声(RIN)的因素,并进行了实验对比.通过对芯片
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;石家庄市机械技工学校,石家庄050061
论文部分内容阅读
设计了一种1550 nm波长分布反馈(DFB)激光器芯片,分析了有源区材料和波导结构对芯片参数的影响.分析了影响输出功率和相对强度噪声(RIN)的因素,并进行了实验对比.通过对芯片材料结构和波导结构的优化设计提升了芯片效率、降低了RIN;通过优化腔长与量子阱总增益之间的匹配参量及对光波导的优化设计,提高了芯片注入饱和点;通过提升注入水平提高了芯片输出功率.芯片测试结果显示,25℃时阈值电流为13 mA,斜率效率为0.38 W/A,输出功率为102 mW@300 mA,边模抑制比为51 dB@50 mW,RIN为-160 dB/Hz@300 mA.该芯片具备高输出功率、低RIN、低阈值电流、高斜率效率的特点.
其他文献
毛竹是优良的笋材两用竹种,为揭示海拔对毛竹叶片性状及其异速增长关系的影响,为毛竹林高效经营提供理论参考,以经营水平基本一致的3个海拔毛竹林为研究对象,测定分析了1-3度立竹叶片主要性状及其异速增长关系。结果表明:毛竹叶片长、宽、面积、厚度、干重随立竹年龄增加或随海拔升高均呈升高趋势。随立竹年龄增加,同一海拔毛竹林立竹比叶面积呈降低趋势,而高海拔叶宽和叶面积的A F值均呈先升高后降低趋势;随海拔升高,立竹比叶面积呈降低趋势,其中低海拔2、3度立竹比叶面积显著高于中、高海拔;2度立竹叶宽A F值呈升高趋势,低
基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点.振荡器中的谐振电
采用旋涂法与水热法在掺氟二氧化锡(FTO)上制备了Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3(Ce-Bi2S3/Fe2O3)异质结,对样品的组成、形貌及其光电性能进行了研究分析.结果 显示,Ce-Bi2S3/Fe2O3的X射
We report a feasible method to realize tun able surface plasm on-polarit on(SPP)res onance in orga nic light-emitt ing devices(OLEDs)by emplo ying corrugated Ag-Al alloy electrodes.The excited SPP res onance in duced by the periodic corrugations can be pr
访谈中菲利普·乌尔施布隆首先讨论了当前历史性面临的危机,并得出“建筑理论已失去它的自主性”的观点。他认为当代理论已不存在中心化的大师理论,而是呈现出多元化的概念,恰如米克·巴尔的“微型理论”般运作。基于巴尔关于“概念旅行”的理论,他探讨了全球化语境下建筑教育的新机遇,最后由此出发分析中国与西方国家当代建筑教育之间的相互启迪和影响。
本文介绍瑞士建筑师路易吉·斯诺兹及其代表性设计作品,结合现象学“场所”和“场所精神”理论对其进行深入解析,探讨斯诺兹设计思想和设计实践中对于场所的应对态度和意义。引出对当代建筑和城市设计中场所特质缺失这一现象的反思。
针对陶瓷外壳中影响高频信号传输性能的键合指、传输线、过孔和返回路径平面等结构进行仿真研究,得到了在0～ 20 GHz频带内的最优参数模型.将其应用于某CLGA49陶瓷外壳产品,高
本文基于船波相对运动理论,对舷侧砰击压力和甲板上浪载荷的数值及试验预报方法分别进行了研究。利用三维势流理论计算船舶与波浪之间的相对运动,可以得到船波相对速度及甲板上浪高度。对于砰击压力通过数值模拟方法得到砰击压力系数后结合船波相对速度来预报;对于上浪载荷则采用考虑船舶航速的溃坝模型结合甲板上浪高度来预报。此外,开展了船舶运动和砰击压力模型试验,船波相对运动由沿着模型横剖面布置在舷侧的浪高仪测量,并且测得了相应位置处的砰击压力。最后分别对船波相对运动和砰击压力的数值结果与试验数据进行了比较分析,同时基于船波
欧洲有悠久的住宅合作社传统。合作社源起于19世纪中期的无政府主义传统。它们不只是提供另类的住宅形式,同时也是政治、经济、社会体系的实验。无政府主义的合作社实践不但催生了现代规划学科,同时也促成了1920年代的福利社会的住宅资助政策体系的成形。从19世纪末开始,住宅合作社的空间实践大致经历了“前期酝酿”“第一次高峰期”“被纳入国家治理体系”“复兴与创新发展”四个时期。近年来欧洲住宅合作社正处于“复兴与创新发展”期,其空间实践既继承早期实践的“家务劳动社会化”和"保证私密性的集体交往
SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题.在SiC MOSFET特性参数中,阈值电压是影响并联动态均流特性