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为了研究三维沟槽电极硅探测器相邻单元之间的相干性的影响因素，根据Ramo定理提出的电信号产生原理，需要观察不同条件下探测器单元中比重场的变化.该文以方形三维沟槽电极硅探测器为研究对象，利用仿真工具Silvaco TCAD仿真出方形三维沟槽电极硅探测器的结构，采取单个最小电离粒子（MIP）从探测器上部垂直入射的方式，通过改变高能粒子入射的位置和探测器的沟槽深度，来研究探测器相邻单元中的比重场变化，进而得出相干性的影响因素.