感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：falinglord

【摘要】

：

研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后的表面特性,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对刻蚀样品进行分析,并在样品表

【作者】

：

吕玲龚欣

【机构】

：

西安电子科技大学微电子学院

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

GaN 感应耦合等离子刻蚀表面处理欧姆接触

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研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后的表面特性,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对刻蚀样品进行分析,并在样品表面制作Ni/Au电极,进行欧姆接触特性的测试.实验结果表明了NaOH溶液处理表面对改善材料表面和欧姆接触特性是比较有效的.

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