InP基HEMTs器件16参数小信号模型

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a11253919

【摘要】

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针对InAlAs/InGaAs InP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R gs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(g ds)和漏延迟(τds)

【作者】

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钟英辉李凯凯李梦珂王文斌孙树祥李慧龙丁鹏金智

【机构】

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郑州大学物理工程学院,中国科学院微电子研究所

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2018年2期

【关键词】

：

InP基高电子迁移率晶体管小信号模型栅泄漏电流漏端延时 InP-based HEMTssmall-signal modelgate-leakage cur

【基金项目】

：

upported by National Natural Science Foundation of China(11775191,61404115,61434006),and Development Fund for Outstanding Young Teachers in Zhengzhou University China(1521317004)

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针对InAlAs/InGaAs InP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R gs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(g ds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C ds)引起的相位变化,从而提高了S 22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,

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