【摘 要】
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用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO2超微粒薄膜,借集成电路技术制成气敏元件,并用RQ-1型气敏特性测试仪在动态配气系统中测试其气敏特性.结果表明:烧结体SnO2元件的气敏
【机 构】
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贵州广播电视大学实验中心,贵州大学
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用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO2超微粒薄膜,借集成电路技术制成气敏元件,并用RQ-1型气敏特性测试仪在动态配气系统中测试其气敏特性.结果表明:烧结体SnO2元件的气敏效应出现在300℃以上,而该元件的气敏效应则出现在90℃以下的低温区,有利于降低功耗;在80~90℃时,该元件对H2的灵敏度比C2H5OH和CH4高出2~3个数量级,对CO和LPG几乎不敏感.因此可用作在低温条件下工作的薄膜化、集成化、高性能的H2传感器.
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