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以等效氧化层厚度(EOT)同为2．1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4／SiO2叠层栅介质为例，给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法，并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4／SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命，结果表明，Si3N4／SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命，这说明Si3N4／SiO2叠层栅介质有更高的可靠性。