【摘 要】
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采用第一性原理方法,计算含空位缺陷CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光电性能.结果表明：Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常数和体积变小;能带结构密集而
【机 构】
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长春师范大学物理学院,安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：61404010）, 贵州省自然科学基金（批准号：黔科合J字（2010）2001,黔教科KY（2012）056号）
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采用第一性原理方法,计算含空位缺陷CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光电性能.结果表明：Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常数和体积变小;能带结构密集而平缓,且整体向上移动,Si空位缺陷形成带隙宽度为0.35eV的p型间接带隙半导体,Cr空位缺陷在原禁带间出现两条新的能带;含空位缺陷CrSi2的电子态密度仍主要由Cr3d层电子贡献,Si空位缺陷对电子态密度的影响较小,Cr空位缺陷提高了Fermi面处的电子态密度;与CrSi2相比,含空位缺陷CrSi2的介电峰均向低能方向
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