电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：secace2

【摘要】

：

Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光，在５０ＫＶ加速电压下，其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２，曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍，分辨率为０．５μｍ。采用两种方法制备了ＧａＡｓＰＨＥＭＴ，首先，用Ｉ线光致抗蚀剂，源、漏

【作者】

：

刘明陈宝钦

【机构】

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中国科学院微电子中心

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2000年4期

【关键词】

：

I-线光致抗蚀剂电子束接触式曝光机混合曝光 Iline photoresist Gate length Mixandmatch lithography

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Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光，在５０ＫＶ加速电压下，其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２，曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍，分辨率为０．５μｍ。采用两种方法制备了ＧａＡｓＰＨＥＭＴ，首先，用Ｉ线光致抗蚀剂，源、漏及栅的全部都采用电子束曝光，制备了０．５μｍ栅长的ＧａＡｓＰＨＥＭＴ。将源、漏及栅分割成两部分，其中的精细部分由电子束曝光，其余

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