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采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5 h)处理的半绝缘(SI)GaAs样品,利用表面光伏(SPV)方法,测量和计算了SI-GaAs在室温(300 K)下的主要施主浓度EL2、禁带宽度EgΓ和双极扩散长度La,并从理论上给出了相应的解释.
砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响
【摘 要】
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采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5 h)处理的半绝缘(SI)GaAs样品,利用表面光伏(SPV)方法,测量和计算了SI-GaAs在室温(300 K)下的主要施主浓度EL2、禁带宽度Eg
【机 构】
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福州大学电子系,厦门大学物理系
【出 处】
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福建师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2003年1期
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