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本文采用Win公司2μm GaAs HBT工艺设计一种高效率射频E类功率放大器。设计中采用了电压偏置的E类功放结构,通过负载牵引(Load-Pull)技术对放大器的效率、增益和输出功率进行折衷和优化设计。仿真结果表明该放大器在5V电源电压下,工作频段700MHz～1100MHz内功率附加效率(PAE)大于50%,增益15dB,输出功率大于20dBm。芯片面积为1.375mm*0.79mm。