等离子增强化学气相淀积氮化硅

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本文设计了扩散炉型等离子增强化学气相淀积(简称PECVD)系统.通过实验,确定了SiH_4—NH_3体系PECVD氮化硅薄膜的较佳工艺条件,并对膜的性质作了测定,可在低温(<400℃)下获得优质均匀的氮化硅膜.本工艺的优点是安全、保证质量、系统简单、操作力便、没有付产物、易于推广.该工艺已用于N-沟硅栅MOS器件表面钝化,可提高产品的性能和可靠性. In this paper, a diffusion furnace plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system has been designed.The optimum conditions for the PECVD silicon nitride thin films of SiH_4-NH_3 system have been determined by experiments, and the properties of the films have been determined, (<400 ℃) to obtain high quality and uniform silicon nitride film.The advantages of this process are safety, quality assurance, simple system, easy operation, no product, easy to popularize.The technology has been used for N-channel silicon gate MOS Device surface passivation, can improve product performance and reliability.
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