【摘 要】
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我们研究了780℃下液相外延生长Al_xGa_(1-x)As的生长特性和掺杂特性.本文给出了各种不同x 值的Al_xGa_(1-x)As的生长溶液组分的经验公式,测定了不同x值时的生长速率及掺Mg、
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,日本国理化学研究所,日本国理化学研究所
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我们研究了780℃下液相外延生长Al_xGa_(1-x)As的生长特性和掺杂特性.本文给出了各种不同x 值的Al_xGa_(1-x)As的生长溶液组分的经验公式,测定了不同x值时的生长速率及掺Mg、Ge、Te、Sn样品的载流子浓度同x值的依赖关系.
We investigated the growth and doping characteristics of Al x Ga 1-x As As grown by liquid-phase epitaxy at 780 ° C. In this paper, empirical formulas of the growth solution components of Al x Ga 1-x As The dependence of the growth rate and the carrier concentration of Mg, Ge, Te, Sn samples on the x-value was measured at different x-values.
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