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日立有限公司与瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp．）2005年12月13日发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1．5V和电流低至100μA的条件下进行编程。与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比，每个单元的功耗降低了50％。此外，相对于现有的非易失存储器，新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。