【摘 要】
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随着MOSFET场效开关管的广泛运用,使得开关电路良好的效率特点得以体现,并在中波发射机脉宽调制的PDM调制开关电路、功率放大电路桥式丁类代替电子管丙类功放电路中被大量地
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随着MOSFET场效开关管的广泛运用,使得开关电路良好的效率特点得以体现,并在中波发射机脉宽调制的PDM调制开关电路、功率放大电路桥式丁类代替电子管丙类功放电路中被大量地使用。但是MOSFET场效管本身的结构特征也给防雷防静电以及更换操作等带来了缺陷与麻烦,本文对此探讨了相应的解决方法。
With the extensive use of MOSFET FET, the good efficiency characteristics of the switch circuit are realized. In the medium-wave transmitter pulse width modulation PDM modulation switch circuit, the power amplifier circuit bridge type D replaces the electron tube Class C power amplifier circuit Used in great quantities. However, the structural characteristics of the MOSFET field-effect transistor itself also bring defects and troubles to the anti-lightning and anti-static operation. In this paper, the corresponding solutions are discussed.
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